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Samsung revoluciona o mercado com primeiro módulo DRAM abaixo de 10nm

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A Samsung acaba de alcançar uma importante conquista no setor de memórias, criando o primeiro módulo DRAM do mundo em um processo de fabricação abaixo de 10nm. Embora ainda não haja um anúncio oficial, a informação foi divulgada pelo jornal sul-coreano The Elec.

De acordo com a publicação, a empresa desenvolveu o primeiro die de DRAM funcional com menos de 10nm, utilizando sua nova tecnologia de fabricação 10a. A Samsung planeja garantir rapidamente um nível de produção comercial, ajustando seu trabalho em torno desse die inovador.

Enquanto a produção de chips para processadores avança para processos de fabricação abaixo de 2nm, a litografia de DRAM estava estagnada em 10nm até este avanço da Samsung. Estima-se que a empresa conseguirá produzir memórias em 9,5 a 9,7nm, representando um passo significativo.

“Fontes da indústria relataram que, no dia 24, a Samsung Electronics confirmou um die funcionando durante a inspeção das características após a produção de wafers com o processo 10a no mês passado”, informa o The Elec. “Este é o resultado da primeira aplicação da estrutura quadrada de célula 4F e do processo Vertical Channel Transistor (VCT)”.

Samsung reorganiza transistores no processo 10a

A Samsung tem como meta concluir o desenvolvimento do seu processo 10a até o final deste ano e iniciar a produção em massa de componentes com essa tecnologia até 2028. A principal inovação está na forma como os transistores são organizados.

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Atualmente, as memórias DRAM utilizam uma estrutura chamada 6F, com blocos retangulares de 3F x 2F. A Samsung está preparando a estrutura de célula 4F para criar blocos quadrados de 2F x 2F, otimizando a área do chip. Com os canais verticais (VCT), a empresa espera alcançar densidades de célula de 30% a 50% maiores com seus novos módulos fabricados em 10a.

ameaça de greve que pode atrasar seu desenvolvimento acelerado de novas tecnologias.

Via: WCCFTech